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产品分类
半导体存储器(1)
- Nand flash(1)
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产品信息
参数详情
| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否Rohs |
 符合
|
| 生命周期 | Active |
| IHS 制造商 | MICRON TECHNOLOGY INC |
| 包装说明 | TSOP1, |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.1.A |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 |
| 风险等级 | 5.71 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G48 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 18.4 mm |
| 内存密度 | 1073741824 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 48 |
| 字数 | 134217728 words |
| 字数代码 | 128000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 工作温度 | 70 °C |
| 工作温度 | |
| 组织 | 128MX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP1 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 编程电压 | 2.7 V |
| 座面高度 | 1.2 mm |
| 供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | MATTE TIN |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的长时间 | 30 |
| 类型 | NAND TYPE |
| 宽度 | 12 mm |
| Base Number Matches | 1 |
